Фотодиод ФД-299М

Кремниевый четырехэлементный матричный p-n фотодиод ФД299М применяется для датчиков ближнего ИК-излучения

Отличительные особенности

• повышенная стойкость к ионизационным излучениям;
• негерметичное безкорпусное исполнение.

Рис.1. Габаритные размеры фотодиода ФД299М