Диоды Д142

Голосов пока нет
Арт: 
10050
Наличие: 
Под заказ
Срок доставки: 
1-14 дней
e-mail: 
  • Описание

Диоды:

  • Д142-80,   Д142-80Х,  ДЛ142-80
  • Д142-100, Д142-100X, ДЛ142-100

Конструкция  диодов - Вариант I (Д142-80, Д142-80Х, ДЛ142-80)

Конструкция  диодов - Вариант II ( Д142-100, Д142-100Х, ДЛ142-100)

  • ml, m2 - контрольные точки измерения импульсного прямого напряжения;
  • ml - в одной из двух точек;
  • L mm = 5,6 мм - расстояние по воздуху между анода и катодом диода; длина пути для тока утечки между этими электродами . Масса диода не более 48 г.

 

Рисунок 1 - Предельная прямая вольтамперная характеристика при температуре перехода 25 oC (1) и максимальной температуре перехода Tjm (2) IF= 3,14IF(AV)

Рисунок 2 - Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от температуры корпуса Tc для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 3 - Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от температуры корпуса Tc для токов прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 4 - Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от температуры окружающей среды Tа при естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов синусои­дальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 5 - Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от температуры окружающей среды Tа при естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов прямо­угольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 6 - Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности PF(AV) от среднего прямого тока IF(AV) синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

 

Рисунок 7 - Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности PF(AV) от среднего прямого тока IF(AV) прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 8 - Зависимость допустимой амплитуды ударного прямого тока IFSM от длительности импульса тока ti при исходной температуре структуры Tj = 25 оС (1) и максимальной температуре Tjm (2)

Рисунок 9 - Зависимость защитного показателя I2t от длительности импульса тока ti при исходной температуре структуры Tj = 25 оС (1) и максимальной температуре Tjm (2)

 

Рисунок 10 - Зависимость допустимой амплитуды прямого тока перегрузки IT(ОV) синусоидальной формы частотой f = 50 Гц от длительности перегрузки t при температуре окружающей среды Ta = 40 oC и при отношении тока, предшествующего перегрузке, IF к допустимому среднему прямому току с охладителем IF(AV) равному k = IF / IF(AV); k = 0 (1); 0,5 (2); 0,75 (3); 1,0 (4).

 

Рисунок 11 - Зависимость теплового сопротивления переход - корпус Zthjc (1) и переход- среда Zthjа (2) от времени t при естественном охлаждении Ta = 40 oC на типовом охладителе .

 

Рисунок 12- Зависимость допустимой ударной обратной рассеиваемой мощности PRSM от дли­тельности одиночного импульса ti обратного тока синусоидальной формы в состоянии лавинного пробоя при максимальной температуре структу­ры Tjm.

 

Рисунок 13 - Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от частоты f при естественном охлаждении на типовом охладителе при токе сину­соидальной формы с углом проводимости θ = 180о эл; τp = 50 мкс (1) при Tj = 150 °C , τp = 60 мкс (2) при Tj = 150 °C.