Диоды Д132 и ДЛ132 характеристики

Арт:

10048

Наличие:

Под заказ

Срок доставки:

от 3 до 10 дней

zakaz.izpk@gmail.com

Описание
Характеристики

Конструкция диодов Д132 и ДЛ132

m1, m2 - контрольные точки измерения импульсного прямого напряжения ;
m1 - в одной из двух точек;
Lmin = 4,3мм - расстояние по воздуху между анода и катодом диода; длина пути для тока утечки между этими электродами.

Масса диода не более 27 г.

Тепловые параметры диодов Д132 и ДЛ132

Обозначение параметра	Наименование, единица измерения	Д132-50, Д132-50Х, ДЛ132-50	Д132-63, Д132-63Х, ДЛ132-63	Д132-80, Д132-80Х, ДЛ132-80	Условия установления норм на параметры
T_jm	Максимально допустимая температура перехода, °C	150
T_jmin	Минимально допустимая температура перехода, °C	минус 50 минус 60 для УХЛ2.1
T_stgm	Максимально допустимая температура хранения, °C	50 (60 для Т3 )
T_stgmin	Минимально допустимая температура хранения, °C	минус 50 (минус 60 для УХЛ2.1; минус 10 для Т3)
R_thjc	Тепловое сопротивление переход- корпус, °C/Вт, не более	0,60	0,50	0,38	Постоянный ток
R_thch	Тепловое сопротивление корпус-охладитель, °C/Вт, не более	0,4			Естественное охлаждение. Охладитель ОP331. Постоянный ток
R_thja	Тепловое сопротивление переход-среда (с охладителем),°C/Вт, не более	3,12	3,02	2,90	Естественное охлаждение. Охладитель ОP331. Постоянный ток

Обратные параметры Д132

Обозначение параметра	Наименование, единица измерения	Тип диода			Условия установления норм на параметры
		Д132-50 Д132-50Х	Д132-63 Д132-63Х	Д132-80 Д132-80Х
URRM	Повторяющееся импульсное oбрaтнoe напряжение, В, для класса:				T. = 150 °C , t= 10 мс, f= 50 Гц
	1	100
	2	200
	4	400
	5	500
	6	600
	8	800
	9	900
	10	1000
	11	1100
	12	1200
	14	1400
	16	1600
	18	1800
URSM	Heповторяющееся импульсное oбрaтнoe напряжение, В, для класса:				T. = 150 °C , t= 10 мс, .m ' l ' импульс одиночный
	1	110
	2	225
	4	450
	5	560
	6	670
	8	900
	9	1000
	10	1100
	11	1200
	12	1300
	14	1500
	16	1700
	18	1900
UR	Постоянное обратное напряжение, В	0,6URRM			T = 110 °C С
URWM	Рабочее импульсное обратное напряжение, В	0,8URRM			T. = 150 °C , t= 10 мс, .m ' l ' f= 50 Гц
^RRM	Повторяющийся импульсный oбрaтный ток, мА	6,0			T. = 150 °C,UR= URRM .m 5 R RRM
Irrm	Импульсный oбрaтный ток вoccтaнoвлeния, А	42			T. = 150 °C, IFM= IF(AV), .m 5 FM F(AV) 5 (dlF/dt)f= 5 А/мкс, U = 100 В, t = 50 мке R ' l max
Qrr	Заряд обратного восстановления, мкКн	242
trr	Время обратного восстановления, мке Hе более	11

Обратные параметры ДЛ132

Обозначение параметра	Наименование, единица измерения	Тип диода			Условия установления норм на параметры
		ДЛ132-50	ДЛ132-63	ДЛ132-80
URRM	Повторяющееся импульсное oбрaтнoe напряжение, В, для класса:				Tjm= 150 °C , tj = 10 мс, f = 50 Гц
	10	1000
	11	1100
	12	1200
	14	1400
	15	1500
	16	1600
	18	1800
UR	Постоянное обратное напряжение, В	0,6 URRM			Tc = 110 °C
URWM	Рабочее импульсное oбрaтнoe напряжение, В	0,8urrm			Tjm = 150 °C , tj = 10 мс, f= 50 Гц
UBR	Обратное напряжение пробоя, В	1,2URRM			Tj= 25°C, tu= 10 мс, irrm= 20 мА
PRSM	Ударная обратная рассеиваемая мощность, кВт	5,0			Tjm= 150 °C, ti=100 мке, импульс одиночный
IRRM	Пoвтoряющийcя импульсный обратный ток, мА	5,0			Tjm = 150 °C,UR = URRM
Irrm	Импульсный обратный ток восстановления, А	42			Tjm = 150 °C, IFM= IF(AV), (dlF/dt)f= 5 А/мкс, UR = 100 В, timax = 50 мкс
Qrr	Заряд обратного восстановления, мкKЛ	242
trr	Врeмя обратного восстановления, мкс, нe бoлee	11

Прямые параметры диодов Д132 и ДЛ132

Обозначение параметра	Наименование, единица измерения	Тип диода			Условия установления норм на параметры
Обозначение параметра	Наименование, единица измерения	Д132-50 Д132-50Х ДЛ132-50	Д132-63 Д132-63Х ДЛ132-63	Д132-80 Д132-80Х ДЛ132-80	Условия установления норм на параметры
IF(AV)	Максимально допустимый средний прямой ток, A	50	63	80	T = 110 °C, ti= 10 мс, f= 50 Гц
IFRMS	Действующий прямой ток, А	78	99	127	Tc = 110 °C
IFSM	Ударный прямой ток, кА	1,20	1,40	1,50	Tjm =150 °C, UR=0, ti = 10 мс, импульс одиночный
IFSM	Ударный прямой ток, кА	1,32	1,54	1,65	Tj = 25 °C, UR = 0, tj = 10 мс, импульс одиночный
UFM	Импульсное прямое напряжение, В, не более	1,35			T. = 25 °C, IFM= 3,14 IF(AV)
UTO	Пороговое напряжение , В, не более	0,85		0,80	Tjm =150 °C
rT	Динамическое сопротивление, Ом	0,0032	0,0025	0,0022	Tjm =150 °C
IF(AV)	Средний прямой ток, A (с типовым охладителем)	30	32	35	Ta = 40 °C, естественное охлаждение, охладитель OP331

Рисунок 1 - Предельная прямая вольтамперная характеристика при температуре перехода 25 ^oC (1) и максимальной температуре перехода T_jm (2) I_F= 3,141_F₍_AV₎

Рисунок 2 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F(_AV) от температуры корпуса T_c для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 3 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F(_AV) от температуры корпуса T_c для токов прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 4 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F₍_AV₎ от температуры окружающей среды Т_а при естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 5 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F₍_AV₎ от температуры окружающей среды Т_а при естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 6 - Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности P_F₍_AV₎ от среднего прямого тока I_F₍_AV₎ синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 7 - Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности P_F(_AV) от среднего прямого тока I _F₍_AV₎прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 8 - Зависимость допустимой амплитуды ударного прямого тока I_FSM от длительности импульса тока t_i при исходной температуре структуры T_j = 25 ^оС (1) и максимальной температуре T_jm (2)

Рисунок 9 - Зависимость защитного показателя I²t от длительности импульса тока t при исходной температуре структуры T_j = 25 ^оС (1) и максимальной температуре T_jm (2)

Рисунок 10 - Зависимость допустимой амплитуды прямого тока перегрузки I_T₍₀_V₎ синусоидальной формы частотой f = 50 Гц от длительности перегрузки t при температуре окружающей среды T_a = 40 ^oC и при отношении тока, предшествующего перегрузке, I_F к допустимому среднему прямому току с охладителем IF(AV) равному: k = I_F / I_F₍_AV₎; k = 0 (1); 0,5 (2); 0,75 (3); 1,0 (4).

Рисунок 11 - Зависимость теплового сопротивления переход - корпус Z_thjc (1) и переход- среда Z_thja. (2) от времени t при естественном охлаждении T_a = 40 ^oC на типовом охладителе .

Рисунок 12- Зависимость допустимой ударной обратной рассеиваемой мощности P_RSM от длительности одиночного импульса t_i обратного тока синусоидальной формы в состоянии лавинного пробоя при максимальной температуре структуры T_jm

Рисунок 13 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F₍_AV₎ от частоты f при естественном охлаждении на типовом охладителе при токе синусоидальной формы с углом проводимости 8 = 180^о эл; Т = 50 мкс (1) при T. = 150 ^оС , Т = 60 мкс (2) при T = 150 ^оС.

Рисунок 14 - Зависимость заряда восстановления Q_rr от скорости спада прямого тока (di/dt)_f при температуре перехода T. = 150 °С , U_R = 100 В и при отношении амплитуды прямого тока I_F к допустимому среднему прямому току I_F₍_AV₎ равному : k = 0,5 (1); 1,0 (2); 1,5 (3); где k = I_F / I.

Рисунок 15 - Зависимость времени обратного восстановления t от скорости спада прямого тока (di/dt)_fпри температуре перехода T._m= 150 ^оС, U_R = 100 В и при отношении амплитуды прямого тока I_F к допустимому среднему прямому току I_F(AV) равному : k = 0,5 (1); 1,0 (2); 1,5 (3); где k = I_F/ I_F(AV).

Рисунок 16 - Зависимость обратного тока восстановления I_rrm от скорости спада прямого тока (di/dt)_f при температуре перехода T._m= 150 ^оС , U_R = 100 В и при отношении амплитуды прямого тока I_F к допустимому среднему прямому току I равному : k = 0,5 (1); 1,0 (2); 1,5 (3); где k = I_F / I_F(AV).